Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
110A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
4.2mΩ
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
250W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
127nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
2
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
110A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
4.2mΩ
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
250W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
127nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
