STMicroelectronics STP140NF75 MOSFET

Код товара RS: 687-5302PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP140NF75
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

120A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

75V

Корпус

TO-220

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

8mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

310W

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

160nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

9.15мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics STP140NF75 MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics STP140NF75 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

120A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

75V

Корпус

TO-220

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

8mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

310W

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

160nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

9.15мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics