Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
5.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
25V
Серия
STN6N60M2
Корпус
SOT-223
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
1.25Ом
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
6nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
6W
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Длина
6.8мм
Материал каски/сварочной маски
1.8мм
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 4000) (ex VAT)
4000
P.O.A.
Each (On a Reel of 4000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
4000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
5.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
25V
Серия
STN6N60M2
Корпус
SOT-223
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
1.25Ом
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
6nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
6W
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Длина
6.8мм
Материал каски/сварочной маски
1.8мм
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
