STMicroelectronics STN3NF06L MOSFET

Код товара RS: 485-7399Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STN3NF06L
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

7 нКл при 5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Ширина

3.5мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 326,31

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STN3NF06L MOSFET
Select packaging type

тг 326,31

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STN3NF06L MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 326,31тг 1 631,55
25 - 95тг 250,32тг 1 251,60
100 - 245тг 169,86тг 849,30
250 - 495тг 165,39тг 826,95
500+тг 165,39тг 826,95

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

7 нКл при 5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Ширина

3.5мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics