Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
60A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
PowerFLAT
Серия
STripFET H7
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
16.5mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
5W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
25nC
Прямое напряжение (Vf)
1.1V
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
0.95мм
Длина
5.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 257,35
тг 451,47 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 257,35
тг 451,47 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 5 - 45 | тг 451,47 | тг 2 257,35 |
| 50 - 245 | тг 447,00 | тг 2 235,00 |
| 250 - 495 | тг 438,06 | тг 2 190,30 |
| 500 - 2995 | тг 429,12 | тг 2 145,60 |
| 3000+ | тг 415,71 | тг 2 078,55 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
60A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
PowerFLAT
Серия
STripFET H7
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
16.5mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
5W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
25nC
Прямое напряжение (Vf)
1.1V
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
0.95мм
Длина
5.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
