Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
15A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
PowerFLAT
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
5
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
215mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
110W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
24nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
0.9мм
Длина
8.1мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
8.1 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
15A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
PowerFLAT
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
5
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
215mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
110W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
24nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
0.9мм
Длина
8.1мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
8.1 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
