Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
5.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
PowerFLAT
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
660mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
8.8nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
48W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Длина
6мм
Материал каски/сварочной маски
0.95мм
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
5.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
PowerFLAT
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
660mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
8.8nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
48W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Длина
6мм
Материал каски/сварочной маски
0.95мм
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
