Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
95A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
80V
Корпус
PowerFLAT
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
6.5Ом
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
46nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
127W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)
3000
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
95A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
80V
Корпус
PowerFLAT
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
6.5Ом
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
46nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
127W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
