Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
22A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
I2PAK
Серия
STI28
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
150mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
36nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
170W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
9.3мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
22A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
I2PAK
Серия
STI28
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
150mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
36nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
170W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
9.3мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
