STMicroelectronics STH270N8F7-6 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 В
Серия
STripFET H7
Тип корпуса
H2PAK-6
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
21 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
315 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
15.25мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
193 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 4 908,06
тг 2 454,03 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
2
тг 4 908,06
тг 2 454,03 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
2
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 24 | тг 2 454,03 | тг 4 908,06 |
| 26 - 98 | тг 2 230,53 | тг 4 461,06 |
| 100 - 248 | тг 1 939,98 | тг 3 879,96 |
| 250 - 498 | тг 1 636,02 | тг 3 272,04 |
| 500+ | тг 1 475,10 | тг 2 950,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 В
Серия
STripFET H7
Тип корпуса
H2PAK-6
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
21 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
315 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
15.25мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
193 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics