STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 7-Pin H2PAK STH310N10F7-6

Код товара RS: 786-3704Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STH310N10F7-6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

180A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

H2PAK

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

2.3mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

315W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

180nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

10.4 mm

Материал каски/сварочной маски

4.8мм

Длина

15.25мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STH270N8F7-6 MOSFET
тг 2 454,03Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 747,14

тг 2 373,57 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 7-Pin H2PAK STH310N10F7-6
Select packaging type

тг 4 747,14

тг 2 373,57 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 7-Pin H2PAK STH310N10F7-6

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 48тг 2 373,57тг 4 747,14
50 - 248тг 1 944,45тг 3 888,90
250 - 498тг 1 613,67тг 3 227,34
500 - 998тг 1 470,63тг 2 941,26
1000+тг 1 278,42тг 2 556,84
Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STH270N8F7-6 MOSFET
тг 2 454,03Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

180A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

H2PAK

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

2.3mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

315W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

180nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

10.4 mm

Материал каски/сварочной маски

4.8мм

Длина

15.25мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STH270N8F7-6 MOSFET
тг 2 454,03Each (In a Pack of 2) (ex VAT)