Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
180A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
80V
Корпус
H2PAK
Серия
STripFET H7
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
21mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
315W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
193nC
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
4.8мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 4 943,82
тг 2 471,91 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 4 943,82
тг 2 471,91 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
2
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 24 | тг 2 471,91 | тг 4 943,82 |
| 26 - 98 | тг 2 163,48 | тг 4 326,96 |
| 100 - 248 | тг 1 953,39 | тг 3 906,78 |
| 250 - 498 | тг 1 649,43 | тг 3 298,86 |
| 500+ | тг 1 479,57 | тг 2 959,14 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
180A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
80V
Корпус
H2PAK
Серия
STripFET H7
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
21mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
315W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
193nC
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
4.8мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
