Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
110A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
H2PAK
Серия
DeepGate, STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
3.9mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
250W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
117nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
4.8мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 610,48
тг 1 305,24 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
2
тг 2 610,48
тг 1 305,24 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
2
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 18 | тг 1 305,24 | тг 2 610,48 |
| 20 - 48 | тг 1 063,86 | тг 2 127,72 |
| 50 - 98 | тг 1 045,98 | тг 2 091,96 |
| 100 - 248 | тг 929,76 | тг 1 859,52 |
| 250+ | тг 858,24 | тг 1 716,48 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
110A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
H2PAK
Серия
DeepGate, STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
3.9mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
250W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
117nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
4.8мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
