STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 35 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF45N65M5

Код товара RS: 783-2968Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STF45N65M5
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

35A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

710V

Корпус

TO-220

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

78mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

82nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

16.4мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 686,47

тг 2 686,47 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 35 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF45N65M5
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 686,47
2тг 5 372,94
3тг 8 059,41
4тг 10 745,88
5тг 13 432,35
6тг 16 118,82
7тг 18 805,29
8тг 21 491,76
9тг 24 178,23
10тг 26 864,70
11тг 29 551,17
12тг 32 237,64
13тг 34 924,11
14тг 37 610,58
15тг 40 297,05

тг 2 686,47

тг 2 686,47 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 35 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF45N65M5

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 686,47
2тг 5 372,94
3тг 8 059,41
4тг 10 745,88
5тг 13 432,35
6тг 16 118,82
7тг 18 805,29
8тг 21 491,76
9тг 24 178,23
10тг 26 864,70
11тг 29 551,17
12тг 32 237,64
13тг 34 924,11
14тг 37 610,58
15тг 40 297,05

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 2 686,47
25 - 49тг 2 337,81
50 - 249тг 2 293,11
250 - 499тг 1 899,75
500+тг 1 729,89

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

35A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

710V

Корпус

TO-220

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

78mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

82nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

16.4мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics