STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET, 15 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
15A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
900V
Корпус
TO-220
Серия
SiC MOSFET
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
330mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
30W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
29.7nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
16мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
15A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
900V
Корпус
TO-220
Серия
SiC MOSFET
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
330mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
30W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
29.7nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
16мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет