Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
11A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-220FP
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
360mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
-25/25 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
16.4мм
Ширина
4.6 mm
Количество элементов на ИС
1
Информация о товаре
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
11A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-220FP
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
360mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
-25/25 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
16.4мм
Ширина
4.6 mm
Количество элементов на ИС
1
Информация о товаре
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
