Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
55A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-252
Серия
STD
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
45mΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
14nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
70W
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Длина
6.6мм
Стандарты/одобрения
UL
Ширина
6.2 mm
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics MOSFET device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics STripFET H5 technology. This device has been optimized to achieve very low on-state resistance.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
2500
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
55A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-252
Серия
STD
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
45mΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
14nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
70W
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Длина
6.6мм
Стандарты/одобрения
UL
Ширина
6.2 mm
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics MOSFET device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics STripFET H5 technology. This device has been optimized to achieve very low on-state resistance.