STMicroelectronics STD60NF06T4 MOSFET

Код товара RS: 687-5071Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD60NF06T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

60A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

16mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

49nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 726,70

тг 545,34 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STD60NF06T4 MOSFET
Select packaging type

тг 2 726,70

тг 545,34 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STD60NF06T4 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 545,34тг 2 726,70
25 - 45тг 429,12тг 2 145,60
50 - 120тг 415,71тг 2 078,55
125 - 245тг 339,72тг 1 698,60
250+тг 335,25тг 1 676,25

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

60A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

16mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

49nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics