Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
16 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
49 нКл при 10 В
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 2 726,70
тг 545,34 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 726,70
тг 545,34 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 545,34 | тг 2 726,70 |
| 25 - 45 | тг 429,12 | тг 2 145,60 |
| 50 - 120 | тг 415,71 | тг 2 078,55 |
| 125 - 245 | тг 339,72 | тг 1 698,60 |
| 250+ | тг 335,25 | тг 1 676,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
16 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
49 нКл при 10 В
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
