Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
D-PAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
125 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
28 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.6мм
Ширина
6.2мм
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Высота
2.4мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFETs, Discontinued
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
D-PAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
125 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
28 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.6мм
Ширина
6.2мм
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Высота
2.4мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFETs, Discontinued
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.