STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD17NF25

Код товара RS: 761-2701Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD17NF25
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

17A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

250V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

165mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

90W

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

29.5nC

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

6.2 mm

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 838,45

тг 567,69 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD17NF25
Select packaging type

тг 2 838,45

тг 567,69 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD17NF25

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 567,69тг 2 838,45
50 - 245тг 460,41тг 2 302,05
250 - 495тг 366,54тг 1 832,70
500 - 995тг 268,20тг 1 341,00
1000+тг 259,26тг 1 296,30
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

17A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

250V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

165mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

90W

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

29.5nC

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

6.2 mm

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать