STMicroelectronics STD18N55M5 MOSFET

Код товара RS: 761-0418Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD18N55M5
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

13A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

550V

Корпус

TO-252

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

240mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

31nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

90W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

6.2 mm

Длина

6.6мм

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 911,88

тг 911,88 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STD18N55M5 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 911,88
2тг 1 823,76
3тг 2 735,64
4тг 3 647,52
5тг 4 559,40
6тг 5 471,28
7тг 6 383,16
8тг 7 295,04
9тг 8 206,92
10тг 9 118,80
11тг 10 030,68
12тг 10 942,56
13тг 11 854,44
14тг 12 766,32
15тг 13 678,20

тг 911,88

тг 911,88 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STD18N55M5 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 911,88
2тг 1 823,76
3тг 2 735,64
4тг 3 647,52
5тг 4 559,40
6тг 5 471,28
7тг 6 383,16
8тг 7 295,04
9тг 8 206,92
10тг 9 118,80
11тг 10 030,68
12тг 10 942,56
13тг 11 854,44
14тг 12 766,32
15тг 13 678,20

КоличествоЦена единицы
1 - 99тг 911,88
100 - 249тг 590,04
250 - 624тг 518,52
625 - 1249тг 509,58
1250+тг 482,76

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

13A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

550V

Корпус

TO-252

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

240mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

31nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

90W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

6.2 mm

Длина

6.6мм

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics