N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD17NF25

Код товара RS: 761-2701Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD17NF25
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

17 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

165 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

6.6мм

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

29,5 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.4мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 567,69

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD17NF25
Select packaging type

тг 567,69

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD17NF25
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 567,69тг 2 838,45
50 - 245тг 460,41тг 2 302,05
250 - 495тг 366,54тг 1 832,70
500 - 995тг 268,20тг 1 341,00
1000+тг 259,26тг 1 296,30
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

17 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

165 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

6.6мм

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

29,5 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.4мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать