Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
12A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
338mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
110W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
15.3nC
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
6.2 mm
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Длина
6.6мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
2500
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
12A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
338mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
110W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
15.3nC
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
6.2 mm
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Длина
6.6мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
