Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
11A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-252
Серия
MDmesh II
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.36Ом
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
27nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Длина
10.1мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Ширина
6.6 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
11A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-252
Серия
MDmesh II
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.36Ом
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
27nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Длина
10.1мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Ширина
6.6 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
