Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
11A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
360mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
12.5nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
110W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
6.6мм
Материал каски/сварочной маски
2.17мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
11A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
360mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
12.5nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
110W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
6.6мм
Материал каски/сварочной маски
2.17мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
