Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
10A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
420mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
16.5nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
110W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
6.6мм
Материал каски/сварочной маски
2.17мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
10A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
420mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
16.5nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
110W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
6.6мм
Материал каски/сварочной маски
2.17мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
