STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD100N10F7

Код товара RS: 786-3592Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD100N10F7
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

8mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

120W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

61nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 643,05

тг 728,61 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD100N10F7
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 643,05
10тг 7 286,10
15тг 10 929,15
20тг 14 572,20
25тг 18 215,25
30тг 21 858,30
35тг 25 501,35
40тг 29 144,40
45тг 32 787,45
50тг 29 725,50
55тг 32 698,05
60тг 35 670,60
65тг 38 643,15
70тг 41 615,70
75тг 44 588,25

тг 3 643,05

тг 728,61 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD100N10F7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 643,05
10тг 7 286,10
15тг 10 929,15
20тг 14 572,20
25тг 18 215,25
30тг 21 858,30
35тг 25 501,35
40тг 29 144,40
45тг 32 787,45
50тг 29 725,50
55тг 32 698,05
60тг 35 670,60
65тг 38 643,15
70тг 41 615,70
75тг 44 588,25

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 728,61тг 3 643,05
50 - 245тг 594,51тг 2 972,55
250 - 495тг 473,82тг 2 369,10
500 - 2495тг 420,18тг 2 100,90
2500+тг 393,36тг 1 966,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-252

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

8mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

120W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

61nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics