STMicroelectronics STD100N10F7 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
80A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
TO-252
Серия
STripFET H7
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
8mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
61nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
120W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
6.6мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
6.2 mm
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
80A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
TO-252
Серия
STripFET H7
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
8mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
61nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
120W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
6.6мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
6.2 mm
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.