STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 35 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB45N65M5

Код товара RS: 783-2949Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB45N65M5
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

35A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

710V

Корпус

TO-263

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

78mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

82nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

210W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 842,92

тг 2 842,92 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 35 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB45N65M5
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 842,92
2тг 5 685,84
3тг 8 528,76
4тг 11 371,68
5тг 14 214,60
6тг 17 057,52
7тг 19 900,44
8тг 22 743,36
9тг 25 586,28
10тг 28 429,20
11тг 31 272,12
12тг 34 115,04
13тг 36 957,96
14тг 39 800,88
15тг 42 643,80

тг 2 842,92

тг 2 842,92 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 35 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB45N65M5

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 842,92
2тг 5 685,84
3тг 8 528,76
4тг 11 371,68
5тг 14 214,60
6тг 17 057,52
7тг 19 900,44
8тг 22 743,36
9тг 25 586,28
10тг 28 429,20
11тг 31 272,12
12тг 34 115,04
13тг 36 957,96
14тг 39 800,88
15тг 42 643,80

КоличествоЦена единицы
1 - 49тг 2 842,92
50 - 249тг 2 333,34
250 - 499тг 1 935,51
500 - 999тг 1 765,65
1000+тг 1 533,21

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

35A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

710V

Корпус

TO-263

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

78mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

82nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

210W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics