Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
28A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-263
Серия
STB37N60
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
94mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
54nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
210W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
15.85мм
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Стандарты/одобрения
AEC-Q101
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
28A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-263
Серия
STB37N60
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
94mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
54nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
210W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
15.85мм
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Стандарты/одобрения
AEC-Q101
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
