STMicroelectronics STB18N60DM2 MOSFET

Код товара RS: 111-6459Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB18N60DM2
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

12A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

TO-263

Серия

MDmesh DM2

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

290mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

90W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

20nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

10.4 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

9.35мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STB18N60DM2 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 5
1P.O.A.
6P.O.A.
11P.O.A.
16P.O.A.
21P.O.A.
26P.O.A.
31P.O.A.
36P.O.A.
41P.O.A.
46P.O.A.
51P.O.A.
56P.O.A.
61P.O.A.
66P.O.A.
71P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STB18N60DM2 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 5
1P.O.A.
6P.O.A.
11P.O.A.
16P.O.A.
21P.O.A.
26P.O.A.
31P.O.A.
36P.O.A.
41P.O.A.
46P.O.A.
51P.O.A.
56P.O.A.
61P.O.A.
66P.O.A.
71P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

12A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

TO-263

Серия

MDmesh DM2

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

290mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

90W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

20nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

10.4 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

9.35мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics