Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
120A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
40V
Корпус
TO-263
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
5mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
300W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
110nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
9.35 mm
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 849,30
тг 424,65 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 849,30
тг 424,65 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
2
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 8 | тг 424,65 | тг 849,30 |
| 10 - 18 | тг 415,71 | тг 831,42 |
| 20 - 48 | тг 406,77 | тг 813,54 |
| 50 - 98 | тг 402,30 | тг 804,60 |
| 100+ | тг 393,36 | тг 786,72 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
120A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
40V
Корпус
TO-263
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
5mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
300W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
110nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
9.35 mm
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.