STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB100N10F7

Код товара RS: 792-5697Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB100N10F7
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-263

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

8mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

150W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

61nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 7 420,20

тг 1 484,04 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB100N10F7
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 7 420,20
10тг 14 840,40
15тг 22 260,60
20тг 29 680,80
25тг 33 748,50
30тг 40 498,20
35тг 47 247,90
40тг 53 997,60
45тг 60 747,30
50тг 67 497,00
55тг 74 246,70
60тг 80 996,40
65тг 87 746,10
70тг 94 495,80
75тг 101 245,50

тг 7 420,20

тг 1 484,04 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB100N10F7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 7 420,20
10тг 14 840,40
15тг 22 260,60
20тг 29 680,80
25тг 33 748,50
30тг 40 498,20
35тг 47 247,90
40тг 53 997,60
45тг 60 747,30
50тг 67 497,00
55тг 74 246,70
60тг 80 996,40
65тг 87 746,10
70тг 94 495,80
75тг 101 245,50

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 1 484,04тг 7 420,20
25 - 95тг 1 349,94тг 6 749,70
100 - 245тг 1 171,14тг 5 855,70
250 - 495тг 987,87тг 4 939,35
500+тг 889,53тг 4 447,65

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-263

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

8mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

150W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

61nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics