STMicroelectronics MDmesh K5 N-Channel Power MOSFET, 6 A, 1200 V Enhancement Mode, 3-Pin H2PAK-2 ST2H8N120K5AG

Brand

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

6A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

H2PAK-2

Серия

MDmesh K5

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

1.65Ом

Номер канала

Режим улучшения

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

165W

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

15.55мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Ширина

10.98 mm

Длина

10.98мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China