Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Модули МОП-транзистора
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
45A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
Hip-247
Серия
SCT
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.09Ом
Номер канала
Опускание
Информация о товаре
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Модули МОП-транзистора
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
45A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
Hip-247
Серия
SCT
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.09Ом
Номер канала
Опускание
Информация о товаре
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
