Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
60A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
Hip-247
Серия
SCT
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
73mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
389W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
94nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
18 V
Прямое напряжение (Vf)
3V
Максимальная рабочая температура
200°C
Материал каски/сварочной маски
5мм
Длина
34.8мм
Стандарты/одобрения
UL
Ширина
15.6мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. It can be used in Switching mode power supply, DC-DC converters and Industrial motor control.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
30
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
60A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
Hip-247
Серия
SCT
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
73mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
389W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
94nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
18 V
Прямое напряжение (Vf)
3V
Максимальная рабочая температура
200°C
Материал каски/сварочной маски
5мм
Длина
34.8мм
Стандарты/одобрения
UL
Ширина
15.6мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. It can be used in Switching mode power supply, DC-DC converters and Industrial motor control.
