Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
36A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
Hip-247
Серия
SCTW40N
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
700mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
278W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
13nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
22 V
Прямое напряжение (Vf)
3.3V
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
15.75мм
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
5.15 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
30
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
36A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
Hip-247
Серия
SCTW40N
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
700mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
278W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
13nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
22 V
Прямое напряжение (Vf)
3.3V
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
15.75мм
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
5.15 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
