Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой модуль SiC
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
55A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
H2PAK-7
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.065Ом
Номер канала
Поднятие
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой модуль SiC
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
55A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
H2PAK-7
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.065Ом
Номер канала
Поднятие
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
