Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Модули МОП-транзистора
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
33A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
H2PAK-7
Серия
SCT
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.105Ом
Номер канала
Опускание
Информация о товаре
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Модули МОП-транзистора
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
33A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
H2PAK-7
Серия
SCT
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.105Ом
Номер канала
Опускание
Информация о товаре
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
