Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой модуль SiC
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
12A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
Hip-247
Серия
Sct
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.52Ом
Номер канала
Опускание
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
150W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
4.3V
Максимальная рабочая температура
200°C
Материал каски/сварочной маски
34.95мм
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
5.15 mm
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой модуль SiC
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
12A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
Hip-247
Серия
Sct
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.52Ом
Номер канала
Опускание
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
150W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
4.3V
Максимальная рабочая температура
200°C
Материал каски/сварочной маски
34.95мм
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
5.15 mm
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.