Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Dual N
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
95V
Корпус
LBB
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
5
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
1Ом
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
10 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
28.95мм
Материал каски/сварочной маски
2.1мм
Стандарты/одобрения
2002/95/EC
Ширина
5.85мм
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics 120 W LDMOS FET, designed for broadband commercial communications, TV broadcast, avionics and industrial applications with frequencies from HF to 1.5 GHz. It can be used in class AB/B and class C for all typical modulation formats.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 100) (ex VAT)
100
P.O.A.
Each (On a Reel of 100) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
100
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Dual N
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
95V
Корпус
LBB
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
5
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
1Ом
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
10 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
28.95мм
Материал каски/сварочной маски
2.1мм
Стандарты/одобрения
2002/95/EC
Ширина
5.85мм
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics 120 W LDMOS FET, designed for broadband commercial communications, TV broadcast, avionics and industrial applications with frequencies from HF to 1.5 GHz. It can be used in class AB/B and class C for all typical modulation formats.
