Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Рабочая частота
650 MHz
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
90V
Корпус
LBB
Серия
RF3L
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
5
Номер канала
Поднятие
Максимальная рабочая температура
200°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Длина
28.95мм
Материал каски/сварочной маски
4.85мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Ширина
16.51 mm
Типичный коэффициент усиления по мощности
18dB
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics RF3L05250CB4 is a 250 W 28/32 V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications with frequencies from HF to 1 GHz. It can be used in class AB/B and C for all typical modulation formats.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Рабочая частота
650 MHz
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
90V
Корпус
LBB
Серия
RF3L
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
5
Номер канала
Поднятие
Максимальная рабочая температура
200°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Длина
28.95мм
Материал каски/сварочной маски
4.85мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Ширина
16.51 mm
Типичный коэффициент усиления по мощности
18dB
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics RF3L05250CB4 is a 250 W 28/32 V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications with frequencies from HF to 1 GHz. It can be used in class AB/B and C for all typical modulation formats.
