Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
7A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
65V
Корпус
PowerSO-10RF
Серия
PD5
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
10
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.76Ом
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
79W
Минимальная рабочая температура
65°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Максимальная рабочая температура
165°C
Длина
14.35мм
Материал каски/сварочной маски
3.6мм
Стандарты/одобрения
ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS
Ширина
9.6 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
The STMicroelectronics RF power transistor is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power MOSFET. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of STs latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. Devices superior linearity performance makes it an ideal solution for base station applications. The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performances and ease of assembly. Mounting recommendations are available in www.st.com/rf/ (look for application note AN1294).
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
7A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
65V
Корпус
PowerSO-10RF
Серия
PD5
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
10
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.76Ом
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
79W
Минимальная рабочая температура
65°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Максимальная рабочая температура
165°C
Длина
14.35мм
Материал каски/сварочной маски
3.6мм
Стандарты/одобрения
ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS
Ширина
9.6 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
The STMicroelectronics RF power transistor is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power MOSFET. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of STs latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. Devices superior linearity performance makes it an ideal solution for base station applications. The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performances and ease of assembly. Mounting recommendations are available in www.st.com/rf/ (look for application note AN1294).
