Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
40V
Корпус
PowerSO-10RF
Серия
PD5
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
10
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.75Ом
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
73W
Минимальная рабочая температура
65°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Максимальная рабочая температура
165°C
Длина
15.65мм
Материал каски/сварочной маски
3.6мм
Стандарты/одобрения
ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS
Ширина
9.6 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
The STMicroelectronics are common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 12 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The PD55015-E boasts the excellent gain, linearity and reliability thanks to STs latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, the PowerSO-10RF.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
40V
Корпус
PowerSO-10RF
Серия
PD5
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
10
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.75Ом
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
73W
Минимальная рабочая температура
65°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Максимальная рабочая температура
165°C
Длина
15.65мм
Материал каски/сварочной маски
3.6мм
Стандарты/одобрения
ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS
Ширина
9.6 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
The STMicroelectronics are common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 12 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The PD55015-E boasts the excellent gain, linearity and reliability thanks to STs latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, the PowerSO-10RF.
