ROHM Common Source 2 Type N-Channel MOSFET, 2 A, 30 V Enhancement, 5-Pin TSMT-5 QS5K2TR
Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
30V
Корпус
TSMT-5
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
5
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.25W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
-12/12 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Конфигурация транзистора
Общий источник
Ширина
1.6 mm
Длина
2.9мм
Материал каски/сварочной маски
0.85мм
Количество элементов на ИС
2
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
Dual N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 3 263,10
тг 326,31 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
10
тг 3 263,10
тг 326,31 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
10
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 90 | тг 326,31 | тг 3 263,10 |
| 100 - 240 | тг 317,37 | тг 3 173,70 |
| 250 - 490 | тг 312,90 | тг 3 129,00 |
| 500 - 990 | тг 299,49 | тг 2 994,90 |
| 1000+ | тг 295,02 | тг 2 950,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
30V
Корпус
TSMT-5
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
5
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.25W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
-12/12 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Конфигурация транзистора
Общий источник
Ширина
1.6 mm
Длина
2.9мм
Материал каски/сварочной маски
0.85мм
Количество элементов на ИС
2
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре