Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
70A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
14mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
150W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
120nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Прямое напряжение (Vf)
1.1V
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
9.4мм
Длина
10.67мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4.83 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Лента )
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Лента )
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
70A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
14mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
150W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
120nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Прямое напряжение (Vf)
1.1V
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
9.4мм
Длина
10.67мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4.83 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
