Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
150 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15,6 нКл при 10 В, 7,4 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 1 676,25
тг 67,05 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 1 676,25
тг 67,05 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 25 | тг 67,05 | тг 1 676,25 |
50 - 100 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
125 - 225 | тг 49,17 | тг 1 229,25 |
250 - 475 | тг 44,70 | тг 1 117,50 |
500+ | тг 40,23 | тг 1 005,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
150 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15,6 нКл при 10 В, 7,4 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре