P-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4171PG
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
150 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15,6 нКл при 10 В
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.01мм
тг 4 470,00
тг 89,40 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 4 470,00
тг 89,40 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 50 | тг 89,40 | тг 4 470,00 |
| 100 - 200 | тг 53,64 | тг 2 682,00 |
| 250 - 450 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
| 500 - 950 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
| 1000+ | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
150 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15,6 нКл при 10 В
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.01мм