Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип P
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
900mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
30V
Корпус
SOT-23
Серия
NDS352AP
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
500mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
500mW
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
2nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Прямое напряжение (Vf)
-1.2V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
0.94мм
Длина
2.92мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
1.4 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semis proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип P
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
900mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
30V
Корпус
SOT-23
Серия
NDS352AP
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
500mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
500mW
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
2nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Прямое напряжение (Vf)
-1.2V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
0.94мм
Длина
2.92мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
1.4 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semis proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.